[发明专利]铝膜低温溅镀方法、铝导线层制造方法及具有其的结构

摘要

本发明至少提供一种铝膜的低温溅镀方法，包括：将晶圆置于真空溅镀腔内的静电卡盘上；控制真空溅镀腔内的温度低于铝的半熔点；注入溅镀气体至真空溅镀腔内；控制电源的输出缓升至第一溅镀功率，使溅镀气体形成等离子体；控制电源的输出缓升至第二溅镀功率，使铝靶材被等离子体撞击而溅射出铝粒子，铝粒子溅射并沉积至晶圆表面形成铝膜，其中第二溅镀功率大于第一溅镀功率，并且二者之间呈现上升坡度；以及在控制电源的输出缓升至第一溅镀功率之前，还包括：控制静电卡盘对晶圆的吸引力分段上升，直到晶圆固定于静电卡盘上。本发明的低温溅镀方法通过改善溅镀参数，可以降低铝膜挤压缺陷，以降低铝导线层的短路故障率，提高芯片生成的良率。

主权项

1.一种铝膜的低温溅镀方法，其特征在于，包括：将晶圆置于真空溅镀腔内的静电卡盘上；控制所述真空溅镀腔内的温度达到溅镀温度，其中，所述溅镀温度低于铝的半熔点；注入溅镀气体至所述真空溅镀腔内；控制电源的输出缓升至第一溅镀功率，使所述溅镀气体形成等离子体；以及控制所述电源的输出缓升至第二溅镀功率，使铝靶材被所述等离子体撞击而溅射出铝粒子，所述铝粒子溅射并沉积至所述晶圆表面形成铝膜，所述第二溅镀功率大于所述第一溅镀功率，并且所述第一溅镀功率和所述第二溅镀功率之间呈现上升坡度；其中，在所述控制电源的输出缓升至第一溅镀功率之前，还包括：控制所述静电卡盘对所述晶圆的吸引力分段上升，直到所述晶圆固定于所述静电卡盘上。