[发明专利]一种二硒化钯二维晶态薄膜层的制备方法有效
| 申请号： | 201810102885.4 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108486531B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 李恩;王东飞;范朋;王业亮;高鸿钧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/30;C30B25/18;C30B29/46;C30B29/68 |
| 代理公司： | 11390 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种二硒化钯二维晶态薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤100、准备以碳化硅为基体且在其表面制作有石墨烯层的基座；步骤200、将基座的温度保持在硒和钯的生长温度范围内；步骤300、将纯硒和纯钯按反应比例以蒸发的方式生成硒原子和钯原子后沉积至基座上，硒原子和钯原子在基座上发生反应，形成原子组成的二维有序晶态薄膜层，该薄膜层中，硒原子和钯原子以硒‑钯‑硒的叠加状态分布。本发明通过上述方法解决了现有技术中只能得到二硒化钯块状体的现状，可获取到原子级的二硒化钯薄膜层，为充分利用二硒化钯研究二硒化钯的物性及相关器件提供了便利。 | ||
| 搜索关键词： | 硒化 晶态薄膜 硒原子 钯原子 二维 制备 物性 叠加状态 器件提供 石墨烯层 温度保持 原子组成 薄膜层 块状体 碳化硅 原子级 钯薄膜 纯硒 纯钯 沉积 蒸发 生长 便利 制作 研究 | ||
【主权项】：
1.一种二硒化钯二维晶态薄膜层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤100、准备以碳化硅为基体且在其表面制作有石墨烯层的基座；/n步骤200、将基座的温度保持在硒和钯的生长温度范围内；/n步骤300、将纯硒和纯钯按反应比例以蒸发的方式生成硒原子和钯原子后沉积至基座上，硒原子和钯原子在基座上发生反应，形成原子组成的二维有序晶态薄膜层，该薄膜层中，硒原子和钯原子以硒-钯-硒的叠加状态分布；/n所述纯硒是通过热阻式加热蒸发形成硒原子沉积至碳化硅上，所述纯钯是通过电子束加热蒸发形成钯原子沉积到碳化硅上；/n所述纯硒和纯钯的投放比例为10～8：1。/n
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