[发明专利]GaN基LED的外延结构及其生长方法有效
| 申请号： | 201810102960.7 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108365060B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 程立文;曹常锐;曾祥华;马剑;徐作政 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN LED的外延结构及其生长方法，依次包括处理衬底，生长低温成核层，生长非掺杂低温u‑GaN层，生长掺Si的n‑GaN层，生长发光层，生长GaN‑AlGaN‑GaN势垒层，生长P型GaN层，降温冷却步骤。本发明采用GaN‑AlGaN‑GaN组合结构，能够有效的提供电子势垒以限制电子向P型区的泄露，降低了电子和空穴在P型区的非辐射复合，并有效的提高了空穴从P电极向有源区的注入，提高器件的光电性能；去除传统的AlGaN电子阻挡层，避开了在生长较厚高掺Mg的p型AlGaN层时，会使得材料界面产生严重晶格缺陷和大的应力的问题，也避免了长时间高温生长对MQW层的影响，提高了芯片质量。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 空穴 外延结构 降温冷却步骤 低温成核层 电子阻挡层 非辐射复合 材料界面 电子势垒 高温生长 光电性能 晶格缺陷 组合结构 传统的 发光层 非掺杂 势垒层 衬底 源区 去除 避开 泄露 芯片 | ||
【主权项】：
1.GaN LED的外延结构，其特征在于，依次包括衬底（1）、低温成核层GaN（2）、非掺杂u‑GaN层（3）、掺Si的n‑GaN层（4），发光层（5）、GaN‑AlGaN‑GaN势垒层（6）、P型GaN层（7），其中，GaN‑AlGaN‑GaN势垒层（6）由等厚度的中间层AlGaN层和两外层GaN层组成，中间层AlGaN层为P型AlxGa1‑xN，x为0.05至0.15，外层GaN层为掺杂Si 的GaN。
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