[发明专利]用于苛刻的介质应用的传感器屏蔽在审
| 申请号： | 201810103547.2 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108389898A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | A·范德维尔 | 申请（专利权）人： | 迈来芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/84;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永;黄嵩泉 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在苛刻介质中使用的传感器设备(1)，其包括低掺杂区(3)的硅管芯(2)。该设备包括接触硅管芯的接触层(4)。该接触层包括难熔金属和经由难熔金属的硅化物(5)与硅管芯的欧姆接触件(8)。该设备包括提供在接触层之上的贵金属层(6)，使得接触层被贵金属层完全覆盖。该贵金属层包括钯、铂或钯和/或铂的金属合金。该贵金属层(6)被图案化以形成互连结构和经由接触层(4)连接到欧姆接触件(8)的接触件。该贵金属层(6)被适配用于提供用于阻止由表面电荷对低掺杂区的调制的屏蔽件。该贵金属层可以有利地保护接触层抵抗在传感器设备的外部环境中的苛刻介质。 | ||
| 搜索关键词： | 贵金属层 接触层 硅管芯 传感器设备 欧姆接触件 低掺杂区 难熔金属 传感器屏蔽 表面电荷 互连结构 金属合金 外部环境 硅化物 接触件 屏蔽件 图案化 适配 调制 抵抗 应用 | ||
【主权项】：
1.‑一种用于在苛刻介质中使用的传感器设备(1)，所述传感器元件包括：硅管芯(2)，包括低掺杂区(3)；接触层(4)，接触所述硅管芯(2)，所述接触层(4)包括难熔金属和经由所述难熔金属的硅化物(5)与所述硅管芯的欧姆接触件(8)；以及贵金属层(6)，被提供在所述接触层(4)之上，使得所述接触层被所述贵金属层完全覆盖，所述贵金属层包括钯、铂或钯和/或铂的金属合金，其中所述贵金属层(6)被图案化以形成互连结构和经由所述接触层(4)连接到所述欧姆接触件(8)的接触件，其中所述贵金属层(6)被适配用于提供用于阻止由表面电荷对所述低掺杂区的调制的屏蔽件。
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