[发明专利]硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法

摘要

硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法属于太阳能电池保护涂层的制造技术领域，尤其涉及一种硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法。本发明提供一种硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将Si基太阳能电池基片用离子水超声波清洗后，吹干送入磁控溅射反应室，在真空的条件下，向反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，对电池基片进行加热；在电池基片背面沉积制备AZO透明导电电极；2）向磁控溅射反应室通入氮气作为气体反应源，对电池基片进行加热；在蒸镀AZO透明导电电极的电池基片上继续沉积制备TiAlN薄膜作为抗腐蚀保护涂层。

主权项

1.硅基电池板沉积碲化镉基薄膜叠层太阳能电池材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：/n1）将Si基太阳能电池基片用去离子水超声波清洗后，吹干送入磁控溅射反应室，在真空的条件下，向反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，对电池基片进行加热；在电池基片背面沉积制备AZO透明导电电极；/n2）向磁控溅射反应室通入氮气作为气体反应源，对电池基片进行加热；在蒸镀AZO透明导电电极的电池基片上继续沉积制备TiAlN薄膜作为抗腐蚀保护涂层；/n3）将磁控溅射反应室抽真空，将蒸镀完毕AZO透明导电电极和TiAlN薄膜的电池基片翻过来，向磁控溅射反应室通入氩气作为反应源，对电池基片进行加热；在电池基片正面沉积制备CdTe材料；/n4）将磁控溅射反应室抽真空，向磁控溅射反应室通入氩气和氧气作为混合气体反应源，对电池基片进行加热；在电池基片正面沉积制备CdTe材料之后继续沉积制备AZO透明导电电极；/n5）向磁控溅射反应室中通入氮气作为气体反应源，对电池基片进行加热；继续制备TiAlN抗腐蚀保护涂层。/n