[发明专利]一种模块化多电平变换器及其子模块拓扑结构

摘要

本发明公开了一种模块化多电平变换器及其子模块拓扑结构，包含左、右半桥，连接电路，其中，左半桥包括T1、T2、D1、D2、M1、DM1和C1，T1、T2、M1分别与D1、D2、DM1反并联，M1与电容串联且电容正极连接M1漏极，T1集电极连接M1源极，T2发射极连接电容负极。右半桥包括T3、T4、D3、D4、DM2、M2、C2，T3、T4、M2分别与D3、D4、DM2反并联，M2与电容串联且电容正极连接M2漏极，T3集电极连接M2源极，T4发射极与电容负极相连。左半桥与右半桥通过连接电路相连。本发明的拓扑结构有主动输出四种电平的能力，基于该拓扑结构的MMC系统可以实现直流故障穿越和提压运行。

主权项

1.一种模块化多电平变换器的子模块拓扑结构，其特征在于，包括：左半桥模块、右半桥模块以及连接电路；/n其中，所述左半桥模块包括：第一Si IGBT、第二Si IGBT、第一Si二极管、第二Si二极管、第一SiC MOSFET、第一SiC二极管以及第一电容；/n所述右半桥模块包括：第三Si IGBT、第四Si IGBT、第三Si二极管、第四Si二极管、第二SiC二极管、第二SiC MOSFET以及第二电容；/n所述连接电路包括：第五Si IGBT、第六Si IGBT、第七Si IGBT、第五Si二极管、第六Si二极管以及第七Si二极管；/n所述第一Si IGBT的发射极与所述第一Si二极管的正极、所述第二Si IGBT的集电极以及所述第二Si二极管的负极连接；所述第一Si IGBT的集电极与所述第一Si二极管的负极、所述第一SiC MOSFET的源极以及所述第一SiC二极管的正极连接；/n所述第二Si IGBT的发射极与所述第二Si二极管的正极以及所述第一电容的负极连接；所述第一电容的正极与所述第一SiC MOSFET的漏极以及所述第一SiC二极管的负极连接；/n所述第三Si IGBT的发射极与所述第三Si二极管的正极、所述第四Si IGBT的集电极以及所述第四Si二极管的负极连接；所述第三Si IGBT的集电极与所述第三Si二极管的负极、所述第二SiC MOSFET的源极以及所述第二SiC二极管的正极连接；/n所述第四Si IGBT的发射极与所述第四Si二极管的正极以及所述第二电容的负极连接；所述第二电容的正极与所述第二SiC MOSFET的漏极以及所述第二SiC二极管的负极连接；/n所述第五Si IGBT的集电极与所述第五Si二极管的负极、所述第六Si IGBT的发射极、所述第六Si二极管的正极、第二SiC MOSFET的源极、第二SiC二极管的正极、第三Si IGBT的集电极以及第三Si二极管的负极连接；所述第五Si IGBT的发射极与所述第五Si二极管的正极、所述第七Si IGBT的集电极、所述第七Si二极管的负极以及所述第二Si IGBT的发射极连接；/n所述第七Si IGBT的发射极与所述第七Si二极管的正极以及所述第四Si IGBT的发射极连接；所述第六Si IGBT的集电极与所述第六Si二极管的负极、所述第一Si IGBT的集电极所述第一SiC MOSFET的源极以及所述第一SiC二极管的正极连接。/n