[发明专利]氧掺杂六方氮化硼稀磁半导体纳米材料的制备方法有效
| 申请号： | 201810104794.4 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108275662B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 张明喆;芦庆 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C01B21/064 | 分类号： | C01B21/064 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的氧掺杂六方氮化硼稀磁半导体纳米材料的制备方法，属于稀磁半导体纳米颗粒材料制备的技术领域。具体采用气液反应和气固反应两步反应过程，首先利用硼酸和去离子水配制成待反应液，然后通入氨气生成五硼酸铵；再将五硼酸铵在880～980℃氮化处理，最后用盐酸水溶液、去离子水和酒精分别清洗并烘干，将得到的氧掺杂六方氮化硼稀磁半导体纳米材料保存为固体。本发明对于现有的制备方法具有反应易于实现、反应装置易于搭建、原材料易于取得、对环境无污染、制备成本低等优点，并且合成的稀磁半导体纳米材料颗粒均匀、磁饱和强度大。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 氮化 硼稀磁 半导体 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧掺杂六方氮化硼稀磁半导体纳米材料的制备方法，以B(OH)3为原料，分两步与氨气进行反应；其中，第一步反应是将浓度为0.2～0.5摩尔/升的B(OH)3水溶液置入反应室，向反应室通入氨气进行反应，至反应室有氨气溢出反应结束；将反应液在真空环境中烘干，得到白色五硼酸铵粉末；第二步反应是将五硼酸铵粉末在无氧环境下通入氨气，升温到880～980℃，再保温反应2～20小时，在氨气氛围中冷却，得到反应产物；最后将反应产物在水浴中加热使杂质溶解，再用盐酸水溶液、去离子水和酒精分别清洗，烘干后得到氧掺杂六方氮化硼稀磁半导体纳米粉末并保存为固体。
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