[发明专利]太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201810105395.X 申请日: 2018-02-02
公开(公告)号: CN108565298B 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 尹相伟;蔡政刚;叶雲傑;鲁珺地;江奇詠;刘致为 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068
代理公司: 北京市立康律师事务所 11805 代理人: 梁挥;孟超
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种太阳能电池,其具有电池单元,且电池单元包括半导体基底、至少两相邻的掺杂区、至少一绝缘层、至少二个第一电极、至少一第一掺杂层和至少一第二电极。两相邻的掺杂区从第一表面延伸到部份半导体基底中。绝缘层覆盖于两相邻的掺杂区与部份半导体基底的第一表面上,且绝缘层具有至少二个开口,其中开口的面积总和为A,半导体基底的总面积为B,且2%≦((A/B)×100%)≦9%。第一电极设置于绝缘层上且分别经由开口接触两相邻的掺杂区的一部份。第一掺杂层设置于绝缘层上,且位于两相邻的第一电极之间。第二电极设置于第一掺杂层上。
搜索关键词: 太阳能电池
【主权项】:
1.一种太阳能电池,具有至少一电池单元,其特征在于,该至少一电池单元包括:一半导体基底,具有一第一表面和相对于该第一表面的一第二表面,其中该半导体基底具有一第一极性;至少两相邻的掺杂区,从该第一表面延伸到部份该半导体基底中,其中该些掺杂区皆具有一第二极性,且该第二极性不同于该第一极性;至少一绝缘层,覆盖于该两相邻的掺杂区与部份该第一表面上,且该绝缘层具有至少二个开口,该些开口分别暴露出该两相邻的掺杂区的一部份,其中该些开口的面积总和为A,该半导体基底的总面积为B,且2%≦((A/B)×100%)≦9%;至少二个第一电极,设置于绝缘层上且分别经由该些开口接触该两相邻的掺杂区的一部份;至少一第一掺杂层,设置于该绝缘层上且位于该两相邻的第一电极之间,其中该第一掺杂层具有该第一极性;以及至少一第二电极,设置于该第一掺杂层上。
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