[发明专利]一种MoS2基金属半导体场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810106276.6 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108206218A | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 李国强;黄烈根;王文樑;郑昱林 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L29/267;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈智英 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子器件的技术领域，公开了一种MoS2基金属半导体场效应晶体管及其制备方法。MoS2基金属半导体场效应晶体管自下至上依次包括衬底、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、GaN层、MoS2层；MoS2层的上方设有源电极、漏电极和栅电极；MoS2层是由多个掺杂层和未掺杂层交替叠加而成，掺杂层为掺杂Se的MoS2层，未掺杂层为未掺杂的MoS2层，MoS2层的首尾层为掺杂层；未掺杂层的层数≥2。本发明采用脉冲激光沉积法制备AlN缓冲层，金属有机化合物无气相外延法制备AlGaN缓冲层和GaN缓冲层。本发明的方法提高缓冲层的晶体质量；MoS2层的结构改善了晶体管转移特性的线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体场效应晶体管 未掺杂层 掺杂层 缓冲层 基金属 制备 金属有机化合物 脉冲激光沉积 晶体管转移 微电子器件 交替叠加 结构改善 气相外延 漏电极 未掺杂 线性度 源电极 栅电极 衬底 首尾 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种MoS2基金属半导体场效应晶体管，其特征在于：自下至上依次包括衬底、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、GaN层、MoS2层；所述MoS2层的上方设有源电极、漏电极和栅电极；栅电极设置在源电极和漏电极之间；所述MoS2层是由多个掺杂层和未掺杂层交替叠加而成，掺杂层的层数为未掺杂层+1，所述掺杂层为掺杂Se的MoS2层，所述未掺杂层为未掺杂的MoS2层；所述MoS2层的首尾层为掺杂层；所述未掺杂层的层数≥2。
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