[发明专利]一种基于三维径向结纳米结构高功率质量比柔性太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 201810106419.3 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108389937A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 余林蔚;孙肖林 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/0392;H01L31/075;H01L31/056 |
| 代理公司： | 常州市华信天成专利代理事务所(普通合伙) 32294 | 代理人： | 钱锁方 |
| 地址： | 210023 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种柔性的、自掺杂、高功率质量比的太阳能电池制备方法，对未来的手提设备及可穿戴应用具有很重要的意义。该电池采用一种成本低廉的铝箔衬底且制备工艺成熟的非晶硅(a‑Si:H)，就可以获得较高性能的三维纳米结构径向结太阳能电池，且机械弯曲性能很好，经过多次弯曲仍然能够保持稳定的电池性能。该技术将柔性衬底与三维纳米结构相结合，将铝箔衬底与非人为性的铝扩散形成P型掺杂相结合，利用PECVD薄膜淀积技术在低熔点金属(Sn或In等)诱导生长的竖直硅纳米线上包裹非晶硅形成p‑i‑n结构，并用氧化铟锡(ITO)作为透明电极，实现完整的、柔性的及较高性能的太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 三维纳米结构 太阳能电池 铝箔 非晶硅 高功率 质量比 柔性太阳能电池 太阳能电池制备 薄膜淀积技术 低熔点金属 电池性能 硅纳米线 机械弯曲 纳米结构 手提设备 透明电极 氧化铟锡 诱导生长 制备工艺 可穿戴 铝扩散 人为性 自掺杂 竖直 与非 制备 三维 并用 电池 成熟 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于三维径向结纳米结构高功率质量比柔性太阳能电池的制备方法，其特征在于,以铝箔为衬底，在衬底上生长三维径向硅纳米线结构，覆盖非晶硅，形成PIN结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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