[发明专利]用于清理焊球模板的方法有效
| 申请号： | 201810106565.6 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108321093B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 李梦秋 | 申请（专利权）人： | 英特尔产品（成都）有限公司;英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 杨胜军 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于清理焊球模板的方法，所述焊球模板用于在对半导体器件进行封装时植放焊球，所述焊球模板包括以一定图案分布的多个穿孔，所述方法包括：在所述焊球模板上卡有焊球的穿孔处施加附着介质；在所述附着介质上安放几个另外焊球；对载有所述另外焊球的所述焊球模板加热到高于所述焊球的熔点之上的温度；以及冷却被加热的所述焊球模板，使得焊球熔化后的材料重新塑形成更大焊球。根据本发明，焊球模板几乎不存在任何被损坏的风险，因而，可显著地降低成本和费用。 | ||
| 搜索关键词： | 焊球模板 焊球 穿孔 附着 加热 熔点 熔化 半导体器件 上卡 封装 冷却 施加 图案 | ||
【主权项】：
1.一种用于清理焊球模板(1)的方法，所述焊球模板用于在对半导体器件进行封装时植放焊球，所述焊球模板包括以一定图案分布的多个穿孔(5)，所述方法包括：在所述焊球模板(1)上卡有焊球(7)的穿孔(5)处施加附着介质，所述附着介质是助焊剂；在所述附着介质上安放几个另外焊球(7)；对载有所述另外焊球(7)的所述焊球模板(1)加热到高于所述焊球(7)的熔点之上的温度；以及冷却被加热的所述焊球模板(1)，使得焊球熔化后的材料重新塑形成更大焊球。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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