[发明专利]栅极侧墙及其形成方法有效
| 申请号： | 201810107090.2 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108389897B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 郭振强 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅极侧墙，包括：由栅介质层和多晶硅栅叠加而成的栅极结构；自对准形成于多晶硅栅侧面的侧墙；多晶硅栅的顶部被回刻一定厚度且回刻后的多晶硅栅的顶部表面低于侧墙的顶部表面；层间介质层和穿过层间介质层的接触孔；延伸到多晶硅栅的顶部表面上方的侧墙部分作为多晶硅栅和邻近的接触孔之间的阻挡层，用于防止多晶硅栅和邻近的所述接触孔产生击穿。本发明公开了一种栅极侧墙的形成方法。本发明能对多晶硅栅的顶部进行保护，防止多晶硅栅顶部和邻近的接触孔之间产生击穿，提高器件的性能；多晶硅栅的回刻能通过自对准实现，不需要增加额外的光罩，工艺成本低；不会对多晶硅栅的厚度产生影响，能使多晶硅栅的性能得到很好的保证。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅极侧墙，其特征在于，包括：栅极结构，栅极结构包括叠加于半导体衬底表面的栅介质层和多晶硅栅；自对准形成于所述多晶硅栅侧面的侧墙；所述多晶硅栅的顶部被回刻一定厚度且回刻后的所述多晶硅栅的顶部表面低于所述侧墙的顶部表面；层间介质层和穿过所述层间介质层的接触孔；延伸到所述多晶硅栅的顶部表面上方的所述侧墙部分作为所述多晶硅栅和邻近的所述接触孔之间的阻挡层，用于防止所述多晶硅栅和邻近的所述接触孔产生击穿。
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