[发明专利]一种减少铝腐蚀的方法在审
| 申请号： | 201810107431.6 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108417491A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 王晟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种减少铝腐蚀的方法，应用于铝刻蚀制程工艺，其中，提供多个晶圆装载装置，每个晶圆装载装置设置有一可开启或闭合的隔离门；提供一铝刻蚀设备，每个晶圆装载装置用以装载多片晶圆，以等待铝刻蚀设备从晶圆装载装置中加载晶圆进行铝刻蚀制程工艺；包括以下步骤：将每个等待的晶圆装置的隔离门设置为闭合状态，以隔离铝刻蚀设备中的反应气体进入晶圆装载装置中；将当前需要加载晶圆的晶圆装载装置的隔离门设置为开启状态；铝刻蚀设备于开启的晶圆装置中每次加载至少两片晶圆执行铝刻蚀制程工艺。其技术方案的有益效果在于，可减少晶圆在铝刻蚀设备中停留的时间，可有效减少反应气体与晶圆接触的时间，减少晶圆中的铝腐蚀问题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 装载装置 刻蚀设备 隔离门 铝腐蚀 刻蚀 制程 反应气体 加载 闭合状态 开启状态 有效减少 闭合 可开启 多片 片晶 装载 隔离 停留 应用 | ||
【主权项】：
1.一种减少铝腐蚀的方法，应用于铝刻蚀制程工艺，其特征在于，提供多个晶圆装载装置，每个所述晶圆装载装置设置有一可开启或闭合的隔离门；提供一铝刻蚀设备，每个所述晶圆装载装置用以装载多片晶圆，以等待所述铝刻蚀设备从所述晶圆装载装置中加载所述晶圆进行铝刻蚀制程工艺；包括以下步骤：步骤S1、将每个等待的所述晶圆装置的所述隔离门设置为闭合状态，以隔离所述铝刻蚀设备中的反应气体进入所述晶圆装载装置中；步骤S2、将当前需要加载所述晶圆的所述晶圆装载装置的所述隔离门设置为开启状态；步骤S3、所述铝刻蚀设备于开启的所述晶圆装置中每次加载至少两片所述晶圆执行铝刻蚀制程工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
