[发明专利]单晶压电薄膜异质衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201810107653.8 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN110137341B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;鄢有泉;黄凯;游天桂;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L41/312 | 分类号： | H01L41/312 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶压电薄膜异质衬底的制备方法，包括如下步骤：1）提供一单晶压电衬底，单晶压电衬底的一表面为注入面；2）于注入面进行离子注入，于单晶压电衬底的预设深度处形成缺陷层；3）提供一支撑衬底；4）将单晶压电衬底经由介质埋层与支撑衬底键合；5）自单晶压电衬底远离支撑衬底的表面对单晶压电衬底进行减薄处理；6）沿缺陷层剥离部分单晶压电衬底，以得到包括依次叠置的支撑衬底、介质埋层及单晶压电薄膜的单晶压电薄膜异质衬底。本发明在沿缺陷层剥离形成单晶压电薄膜异质衬底之前先将单晶压电衬底减薄，再沿缺陷层剥离，可以降低单晶压电衬底与支撑衬底之间的热失配问题，避免了剥离过程中由于热失配引起的裂片问题的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶压电薄膜异质衬底的制备方法，其特征在于，所述单晶压电薄膜异质衬底的制备方法包括如下步骤：1)提供一单晶压电衬底，所述单晶压电衬底的一表面为注入面；2)于所述注入面进行离子注入，于所述单晶压电衬底的预设深度处形成缺陷层；3)提供一支撑衬底；4)将所述单晶压电衬底经由介质埋层与所述支撑衬底键合；5)自所述单晶压电衬底远离所述支撑衬底的表面对所述单晶压电衬底进行减薄处理，减薄处理过程中去除的所述单晶压电衬底的厚度小于所述缺陷层至所述单晶压电衬底远离所述支撑衬底的表面的距离；6)沿所述缺陷层剥离部分所述单晶压电衬底，使得所述单晶压电衬底的一部分转移至所述支撑衬底上，以在所述介质埋层上形成单晶压电薄膜，得到包括依次叠置的所述支撑衬底、所述介质埋层及所述单晶压电薄膜的单晶压电薄膜异质衬底。
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