[发明专利]形成动态随机存取存储器的方法

摘要

本发明公开一种形成动态随机存取存储器的方法，其包含有下述步骤。首先，提供一基底，其中基底包含一存储器区以及一逻辑区。接着，形成一堆叠结构于存储器区的基底上以及一栅极结构于逻辑区的基底上。接续，形成一第一掩模层于堆叠结构以及栅极结构上。续之，进行一致密化制作工艺，致密化第一掩模层。继之，形成一第二掩模层于第一掩模层上。之后，移除第二掩模层的一部分以及第一掩模层的一部分以形成一第一间隙壁于栅极结构的侧壁。

主权项

1.一种形成动态随机存取存储器的方法，其特征在于，该方法包含有：提供一基底，其中该基底包含存储器区以及逻辑区；形成一堆叠结构于该存储器区的该基底上以及一栅极结构于该逻辑区的该基底上；形成一第一掩模层于该堆叠结构以及该栅极结构上；进行一致密化制作工艺，致密化该第一掩模层；形成一第二掩模层于该第一掩模层上；以及移除该第二掩模层的一部分以及该第一掩模层的一部分以形成一第一间隙壁于该栅极结构的侧壁。