[发明专利]一种无运放高阶低温漂带隙基准电路有效

专利信息
申请号: 201810110308.X 申请日: 2018-02-05
公开(公告)号: CN108052154B 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 杨燕;赵健雄;李英祥;王天宝 申请(专利权)人: 成都信息工程大学
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 北京元本知识产权代理事务所(普通合伙) 11308 代理人: 秦力军
地址: 610225 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 公开了一种无运放高阶低温漂带隙基准电路,包括启动电路、偏置电路、正温度系数电路、负温度系数电路、正温度系数补偿电路、负温度系数补偿电路,该无运放高阶低温漂带隙基准电路采用无运放电路结构,采用BJT电流镜提高了输出基准电压的电源抑制比(PSRR)。本发明提供的电路具有12V~36V的宽电压输入、0~7V的可调宽输出电压、在‑75℃~125℃的温度范围内产生温度系数为5ppm/℃的基准电压,功耗极低35mW和高阶温度补偿的特征。
搜索关键词: 一种 无运放高阶 低温 漂带隙 基准 电路
【主权项】:
1.一种无运放高阶低温漂带隙基准电路,包括:启动电路,用于启动无运放高阶低温漂带隙基准电路;包括:第一电阻,具有第一端和第二端,其第一端耦接至第一电源端接收正电源,第二端耦接至第一NMOS管的漏极和第一NMOS管的栅极;第一NMOS管,具有栅极、漏极和源极,其栅极耦接至第一电阻第二端,其漏极耦接至第一电阻第二端,其源极耦接至第一PNP型双极型晶体管发射极;第一PNP型双极型晶体管,具有发射极、基极和集电极,其集电极耦接至第一NMOS管源极,其基极耦接至第三NPN型双极型晶体管基极和第四NPN型双极型晶体管基极,其发射极耦接至第二电源端接收负电源;第二电阻,具有第一端和第二端,其第一端耦接至第一电源端接收正电源,其第二端耦接至第一NPN型双极型晶体管基极和第一NPN型双极型晶体管集电极;第一NPN型双极型晶体管,具有集电极、基极和发射极,其集电极耦接至第二电阻第二端,其基极耦接至第二电阻第二端,其发射极耦接至第一稳压二极管第一端和第二NPN型双极型晶体管基极;以及第二NPN型双极型晶体管,具有基极、集电极和发射极,其基极耦接至第一NPN型双极型晶体管发射极和第一稳压二极管第一端,其集电极耦接至第一电源端接收正电源,其发射极耦接至第三NPN型双极型晶体管基极和第四NPN型双极型晶体管基极;高阶低温漂补偿电路,用于产生正温度系数电流和负温度系数电流,正温度系数电流和负温度系数电流相互补偿产生低温漂系数,包括:正温度系数补偿电路和负温度系数补偿电路;以及自举偏置电路,用于提供正负温度系数补偿电路的偏置电流。
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