[发明专利]太阳能电池有效
申请号: | 201810110898.6 | 申请日: | 2018-02-05 |
公开(公告)号: | CN108400173B | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 曹海宗;吴东海;郑柱和;安俊勇 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括:第一导电区域,其位于半导体基板的前表面处并且包含第一导电类型或第二导电类型的杂质;第二导电区域,其位于半导体基板的后表面处并且包含与第一导电区域的杂质的导电类型相反的导电类型的杂质;第一电极,其位于半导体基板的前表面上并且连接到第一导电区域;以及第二电极,其位于半导体基板的后表面上并且连接到第二导电区域。第一电极和第二电极中的每一个包括金属颗粒和玻璃料。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池,该太阳能电池包括:半导体基板;位于所述半导体基板的前表面处的第一导电区域,所述第一导电区域包含第一导电类型的杂质或第二导电类型的杂质;位于所述半导体基板的后表面处的第二导电区域,所述第二导电区域包含与包含在所述第一导电区域中的杂质的导电类型相反的导电类型的杂质,并且所述第二导电区域包括硅材料;第一电极,所述第一电极位于所述半导体基板的前表面上并且连接到所述第一导电区域;以及第二电极,所述第二电极位于所述半导体基板的后表面上并且连接到所述第二导电区域,其中,所述第一电极和所述第二电极中的每一个包括金属颗粒和玻璃料,并且其中,包含在所述第二电极中的每单位体积的玻璃料的含量小于包含在所述第一电极中的每单位体积的玻璃料的含量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG电子株式会社,未经LG电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810110898.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的