[发明专利]一种图案化薄膜的高温退火方法有效
| 申请号： | 201810110906.7 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108346583B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 闫兴振;王冠达;周路;杨帆;迟耀丹;高晓红;边虹宇;史恺;李旭;杨小天 | 申请（专利权）人： | 吉林建筑大学 |
| 主分类号： | H01L21/477 | 分类号： | H01L21/477 |
| 代理公司： | 深圳卓正专利代理事务所(普通合伙) 44388 | 代理人： | 王平;万正平 |
| 地址： | 130118 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为克服现有技术中图案化薄膜高温退火后出现破裂的问题，提供一种图案化薄膜的高温退火方法，包括以下步骤：S1、在基底上形成液态的图案化薄膜液，所述图案化薄膜液中包括成膜材料和溶剂；S2、将图案化薄膜液在预退火温度下进行预退火处理，得到薄膜前体；所述预退火温度比所述溶剂的沸点低4‑5℃；S3、将薄膜前体在过渡退火温度下进行过渡退火处理，得到薄膜过渡体；所述过渡退火温度比目标退火温度低100‑150℃；S4、将薄膜过渡体在目标退火温度下进行退火处理，然后冷却，得到薄膜。经过本发明提供的高温退火方法制备得到的薄膜不会破裂，品质高，为提高图案化薄膜的性能提供很好的支撑条件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图案 薄膜 高温 退火 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图案化薄膜的高温退火方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在基底上形成液态的图案化薄膜液，所述图案化薄膜液中包括成膜材料和溶剂；S2、将图案化薄膜液在预退火温度下进行预退火处理，得到薄膜前体；所述预退火温度比所述溶剂的沸点低4‑5℃；S3、将薄膜前体在过渡退火温度下进行过渡退火处理，得到薄膜过渡体；所述过渡退火温度比目标退火温度低100‑150℃；S4、将薄膜过渡体在目标退火温度下进行退火处理，然后冷却，得到薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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