[发明专利]掩膜版有效
| 申请号： | 201810110963.5 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108315712B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 王伟;詹志锋;王研鑫 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/04 | 分类号： | C23C16/04 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种掩膜版，包括掩膜本体，在掩膜本体中设置有贯穿其厚度的开口，并且在掩膜本体上，且位于开口的边缘处设置有朝向开口凸出的异形部，还包括形变调节层，且在掩膜本体的沉积面所在的平面上，形变调节层的正投影与异形部的正投影至少部分重叠；形变调节层的热膨胀系数与异形部的热膨胀系数不同，以抑制异形部在进行工艺时产生的形变。本发明提供的掩膜版，其可以抑制掩膜版的异形部在进行膜层沉积工艺时发生变形。 | ||
| 搜索关键词： | 异形部 掩膜本体 形变 调节层 掩膜版 热膨胀系数 开口 正投影 膜层沉积 边缘处 凸出的 沉积 掩膜 变形 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜版，其特征在于，包括掩膜本体，在所述掩膜本体中设置有贯穿其厚度的开口，并且在所述掩膜本体上，且位于所述开口的边缘处设置有朝向所述开口凸出的异形部，还包括形变调节层，所述形变调节层在所述掩膜本体的沉积面所在的平面上的正投影与所述异形部的正投影至少部分重叠；/n所述形变调节层的热膨胀系数与所述异形部的热膨胀系数不同，以抑制所述异形部在进行工艺时产生的形变。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
