[发明专利]耗材芯片存储器电压反馈方法及耗材芯片有效
| 申请号： | 201810111202.1 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108281163B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 胡容铭 | 申请（专利权）人： | 杭州旗捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;B41J2/175 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 赵卫康 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及打印机耗材技术领域，尤其涉及耗材芯片存储器电压反馈方法及耗材芯片。根据存储器输出数据的高M位数据电平切换反馈类型并且根据所述输出数据的低N‑M位数据电平，调整反馈电压；其中：所述N位数据为可改写数据时，所述高M位数据电平对应的反馈类型为第一反馈类型；所述N位数据为不可改写数据时，所述高M位数据电平对应的反馈类型为第二反馈类型；所述N为数据为被改写后的不可改写数据时，所述高M位数据对应的反馈类型为第三类型；所述第二反馈类型和所述第三反馈类型的反馈电压的区间不同。 | ||
| 搜索关键词： | 耗材 芯片 存储器 电压 反馈 方法 | ||
【主权项】：
1.一种耗材芯片存储器电压反馈方法，其特征在于，包括：根据存储器输出数据的高M位数据电平切换反馈类型并且根据所述输出数据的低N‑M位数据电平，调整反馈电压；其中：所述N位数据为可改写数据时，所述高M位数据电平对应的反馈类型为第一反馈类型；所述N位数据为不可改写数据时，所述高M位数据电平对应的反馈类型为第二反馈类型；所述N位数据为被改写后的不可改写数据时，所述高M位数据对应的反馈类型为第三类型；所述第二反馈类型和所述第三反馈类型的反馈电压的区间不同。
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