[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810111658.8 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108389787B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | A·布罗克迈耶;F·希勒;F·J·桑托斯罗德里格斯;D·施勒格尔;H-J·舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L29/739;H01L21/331;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/36;H01L21/782 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。具体而言，外延槽形成在半导体衬底中，其中半导体衬底的矩阵区段横向地分隔外延槽并且包括第一半导体材料。晶体的第二半导体材料的外延区域在外延槽中形成，其中第二半导体材料与第一半导体材料的不同之处在于孔隙率和杂质含量中的至少一种。由外延区域形成半导体器件的半导体主体的至少主要主体部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底中形成外延槽，其中所述半导体衬底的矩阵区段横向地分隔所述外延槽并且包括第一半导体材料；在所述外延槽中形成第二半导体材料的晶体外延区域，其中所述第二半导体材料在孔隙率、杂质含量以及缺陷密度中的至少一个方面与所述第一半导体材料不同；以及由所述外延区域形成所述半导体器件的半导体主体的至少主要主体部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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