[发明专利]一种压电器件及其制备方法在审
申请号: | 201810111900.1 | 申请日: | 2018-02-05 |
公开(公告)号: | CN108231995A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 林瑞钦;黄春奎;赵俊武 | 申请(专利权)人: | 武汉衍熙微器件有限公司 |
主分类号: | H01L41/08 | 分类号: | H01L41/08;H01L41/083;H01L41/253;H01L41/27 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 王丹 |
地址: | 430205 湖北省武汉市江夏区经济开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种压电器件,包括从上到下依次设置的上电极、压电层和下电极,压电层包括用于产生纵向波的c轴优选压电层;所述的压电层还包括设置在c轴优选压电层侧向、用于消除侧向波的非c轴优选压电层;所述的非c轴优选压电层的结晶特性与c轴优选压电层的结晶特性不同;本压电器件还包括用于控制所述非c轴优选压电层在生长时形成的结晶特性的晶向控制层。本发明通过在同一个压电层,形成2种以上结晶特性的薄膜,由于结晶特性不同的材料,其声波传递阻抗也会不同,因此在c轴优选压电层的侧向设置非c轴优选压电层,能够消除c轴优选压电层产生的侧向波或是寄生模态的共振。 | ||
搜索关键词: | 压电层 优选 结晶特性 压电器件 侧向波 侧向 侧向设置 从上到下 声波传递 依次设置 控制层 下电极 纵向波 电极 共振 寄生 薄膜 晶向 模态 制备 阻抗 生长 | ||
【主权项】:
1.一种压电器件,包括从上到下依次设置的上电极、压电层和下电极,所述的压电层包括用于产生纵向波的c轴优选压电层;其特征在于:所述的压电层还包括设置在c轴优选压电层侧向、用于消除侧向波的非c轴优选压电层;所述的非c轴优选压电层的结晶特性与c轴优选压电层的结晶特性不同;本压电器件还包括用于控制所述非c轴优选压电层在生长时形成的结晶特性的晶向控制层。
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