[发明专利]一种高结晶性二硫化铼圆形纳米晶的一步法制备技术在审
| 申请号： | 201810112402.9 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN110117031A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李学铭;唐利斌;周亮亮;潘峰;杨艳波;钱福丽;鲁朝宇;梁晶 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学;北京理工大学;昆明北理工产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C01G47/00 | 分类号： | C01G47/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650500 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 一种高结晶二硫化铼圆形纳米晶的一步法制备技术，其特征为通过一步法制备出分散性好、尺寸小、结晶度高、兼具荧光特性的ReS2圆形纳米晶。针对当前新型二维材料二硫化铼纳米晶的研究较少，且工艺设备要求较高，操作流程较繁琐等现状，本发明采用一步法制得ReS2圆形纳米晶，该产物在紫外‑可见光谱中有288nm和376nm的吸收峰，根据吸收值表明其带隙可调；高分辨透射电镜图显示其晶格间距为0.273nm，平均粒径为2.7nm，表明ReS2圆形纳米晶的一步法制备技术高效、可行，同时图像也表明一步法制备的ReS2圆形纳米晶具有高结晶度。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米晶 一步法制备 硫化 工艺设备要求 透射电镜图 操作流程 带隙可调 二维材料 分散性好 高结晶度 高结晶性 可见光谱 平均粒径 荧光特性 高分辨 高结晶 结晶度 吸收峰 晶格 图像 吸收 研究 | ||
【主权项】：
1.在一种高结晶二硫化铼圆形纳米晶的一步法制备技术，其特征在于该制备方法以ReS2粉末为原料，并对其充分研磨，然后向其中加入适量的1‑甲基‑2‑吡咯烷酮（NMP）溶剂，最后使用超声法制备ReS2圆形纳米晶。
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