[发明专利]Flash存储器烧写系统及方法有效
| 申请号： | 201810113075.9 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN110119284B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 顾晓红;孙红新;赵海 | 申请（专利权）人： | 华润微集成电路（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G06F8/654 | 分类号： | G06F8/654 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Flash存储器烧写系统及方法，其中该系统包括烧写器和微控制器，所述的烧写器和微控制器通过JTAG接口相连接，所述的微控制器包括RAM存储器和Flash存储器，所述的RAM存储器接收所述烧写器中的自烧写程序，且所述的RAM存储器分段接收所述烧写器中的待烧写数据之后，通过所述的自烧写程序将当前待烧写数据段烧写至所述的Flash存储器中，直至完成所述待烧写数据的烧写。本发明的Flash存储器烧写系统及方法不仅减少了在JTAG接口上的通讯时间，还缩短了Flash存储器的烧写时间，提高了烧写效率，具有更广泛的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | flash 存储器 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Flash存储器烧写系统，其特征在于，所述的系统包括烧写器和微控制器，所述的烧写器和所述的微控制器通过JTAG接口相连接，所述的微控制器包括RAM存储器和Flash存储器，所述的RAM存储器接收所述烧写器中的自烧写程序，且所述的RAM存储器分段接收所述烧写器中的待烧写数据，然后通过所述的自烧写程序将当前待烧写数据段烧写至所述的Flash存储器中，直至完成所述待烧写数据的烧写。
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