[发明专利]存储装置

摘要

实施方式提供一种能够容易地形成存储器孔，能够使制造良率提高的存储装置。存储装置具备：导电层；第1电极层，设置在导电层上；第2电极层，设置在导电层与第1电极层间，包含与第1电极层不同的材料；半导体柱，在从导电层朝向第1电极层的第1方向上贯穿第1及第2电极层地延伸，具有连接在导电层的端部；第1绝缘膜，包含位于半导体柱与第1电极层间、及半导体柱与第2电极层间、及半导体柱与导电层间的部分，沿半导体柱在第1方向上延伸；第2绝缘膜，设置在导电层与第1绝缘膜间；及第3绝缘膜，设置在第1绝缘膜与第2电极层间。所述第2、第3绝缘膜、第2电极层及导电层包含第1元素，第2及第3绝缘膜包含第1元素的氧化物或氮化物。

主权项

1.一种存储装置，其特征在于具备：导电层；第1电极层，设置在所述导电层上；第2电极层，设置在所述导电层与所述第1电极层之间，且包含与所述第1电极层不同的材料；半导体柱，在从所述导电层朝向所述第1电极层的第1方向上贯穿所述第1电极层及所述第2电极层地延伸，且具有连接在所述导电层的端部；第1绝缘膜，包含位于所述半导体柱与所述第1电极层之间、及所述半导体柱与所述第2电极层之间、及所述半导体柱与所述导电层之间的部分，且沿所述半导体柱在所述第1方向上延伸；第2绝缘膜，设置在所述导电层与所述第1绝缘膜之间；及第3绝缘膜，设置在所述第1绝缘膜与所述第2电极层之间；所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第2电极层及所述导电层包含第1元素，所述第2绝缘膜及所述第3绝缘膜包含所述第1元素的氧化物或氮化物。