[发明专利]双通道拓扑绝缘体结构、制备方法及产生量子自旋霍尔效应的方法有效
| 申请号： | 201810113605.X | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108447981B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 何珂;姜高源;薛其坤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 王赛 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明共公开了一种双通道拓扑绝缘体结构，包括：绝缘基底、第一拓扑绝缘体量子阱薄膜、绝缘间隔层和第二拓扑绝缘体量子阱薄膜，所述第一拓扑绝缘体量子阱薄膜、所述绝缘间隔层和所述第二拓扑绝缘体量子阱薄膜在所述绝缘基底上依次叠加，所述绝缘间隔层将所述第一拓扑绝缘体量子阱薄膜和所述第二拓扑绝缘体量子阱薄膜间隔。本发明还公开了一种双通道拓扑绝缘体结构制备方法及一种产生量子自旋霍尔效应的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 双通道 拓扑 绝缘体 结构 制备 方法 产生 量子 自旋 霍尔 效应 | ||
【主权项】：
1.一种双通道拓扑绝缘体结构，其特征在于，包括：绝缘基底、第一拓扑绝缘体量子阱薄膜、绝缘间隔层和第二拓扑绝缘体量子阱薄膜，所述第一拓扑绝缘体量子阱薄膜、所述绝缘间隔层和所述第二拓扑绝缘体量子阱薄膜在所述绝缘基底上依次叠加，所述绝缘间隔层将所述第一拓扑绝缘体量子阱薄膜和所述第二拓扑绝缘体量子阱薄膜间隔。
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