[发明专利]像素结构有效
申请号: | 201810116261.8 | 申请日: | 2018-02-05 |
公开(公告)号: | CN108321169B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 郭庭玮;张正杰;林振祺;刘奕成 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种像素结构,具有至少一子像素。子像素包括基板、第一微型发光元件、修补用微型发光元件、第一连接线、第二连接线以及桥接图案。第一微型发光元件设置于基板上。修补用微型发光元件设置于第一微型发光元件上,且与第一微型发光元件于垂直基板方向上部分重叠。第一连接线电性连接于第一微型发光元件的第一电极与修补用微型发光元件的第三半导体层。第二连接线电性连接于第一微型发光元件的第二电极。桥接图案位于第一微型发光元件与修补用微型发光元件之间,且电性连接第二电极与修补用微型发光元件的第四半导体层。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,具有至少一子像素,该至少一子像素包含:一基板;至少一个驱动元件,设置于该基板上;一第一微型发光元件,设置于该基板上且电性连接于该驱动元件,该第一微型发光元件包含一第一半导体层、一第二半导体层、一第一电极与一第二电极,该第一半导体层的掺杂型不同于该第二半导体层的掺杂型,且该第一电极电性连接该第一半导体层,该第二电极电性连接该第二半导体层;一修补用微型发光元件,设置于该第一微型发光元件上,且与该第一微型发光元件于垂直该基板方向上部分重叠,该修补用微型发光元件包含一第三半导体层与一第四半导体层,该第三半导体层的掺杂型不同于该第四半导体层的掺杂型;一第一连接线,电性连接于该第一微型发光元件的该第一电极与该修补用微型发光元件的该第三半导体层,且该第一连接线与该驱动元件电性连接;一第二连接线,电性连接于该第一微型发光元件的该第二电极;一绝缘层,设置于该第一微型发光元件上,且部份覆盖该第一微型发光元件,其中,该绝缘层具有一第一开口与一第二开口,且该第一开口与该第一连接线部份重叠,该第二开口与该第二连接线部份重叠;以及一桥接图案,位于该第一微型发光元件与该修补用微型发光元件之间,且电性连接该第二电极与该修补用微型发光元件的该第四半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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