[发明专利]熔断式印刷存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810116634.1 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN108364669A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 郭小军;朱璐瑶;周浩宇;李思莹;张霞昌;陈苏杰;张婕;孙俊峰 | 申请（专利权）人： | 常州印刷电子产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 213022 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及印刷存储技术领域，尤其涉及一种熔断式印刷存储器及其制备方法。所述熔断式印刷存储器，包括衬底和位于衬底表面的至少一个熔断式器件；其中，所述熔断式器件包括：熔断功能材料层，设置于所述衬底表面，且所述熔断功能材料层采用具有纳米线结构的导电材料制造而成；多个电极，设置于所述熔断功能材料层表面，相邻电极之间具有一间隙，由所述间隙暴露的所述熔断功能材料层构成熔断功能区；隔热封装层，置于所述间隙中、且覆盖所述熔断功能区。本发明降低了熔断式存储器的熔断电流，缩短了熔断时间。 | ||
| 搜索关键词： | 熔断 熔断式 功能材料层 存储器 印刷 衬底表面 功能区 制备 存储技术领域 纳米线结构 导电材料 熔断电流 相邻电极 电极 封装层 隔热 衬底 暴露 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种熔断式印刷存储器，其特征在于，包括衬底和位于衬底表面的至少一个熔断式器件；其中，所述熔断式器件包括：熔断功能材料层，设置于所述衬底表面，且所述熔断功能材料层采用具有纳米线结构的导电材料制造而成；多个电极，设置于所述熔断功能材料层表面，相邻电极之间具有一间隙，由所述间隙暴露的所述熔断功能材料层构成熔断功能区；隔热封装层，置于所述间隙中、且覆盖所述熔断功能区。
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