[发明专利]制备垂直过渡金属硫化物纳米片阵列的方法及电催化析氢催化剂有效
| 申请号： | 201810117506.9 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN108298583B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 张艳锋;郇亚欢;史建平 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01G35/00 | 分类号： | C01G35/00;B82Y30/00;C01G39/06;C01G31/00;C01G33/00;B01J27/04 |
| 代理公司： | 11472 北京方安思达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈琳琳;李彪<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用化学气相沉积制备垂直的金属性过渡金属硫化物纳米片阵列的方法，包括：1)利用多孔金作为生长基底；2)用单质硫和过渡金属的氯化物作为前驱体依次放置在气流上游；3)通入载气去除残留空气，气流稳定后，将单质硫、过渡金属的氯化物和多孔金分别加热至不同温度，保温一定的时间，在基底上生长得到垂直的金属性过渡金属硫化物纳米片阵列。这种方法可以实现大批量金属性过渡金属硫化物纳米片的制备，同时用此合成方法制得的垂直金属性过渡金属硫化物纳米片阵列具有优良的电催化析氢性能。 | ||
| 搜索关键词： | 过渡金属硫化物 纳米片阵列 金属性 制备 氯化物 电催化析氢 过渡金属 垂直的 单质硫 多孔金 垂直 化学气相沉积 残留空气 气流稳定 纳米片 前驱体 生长基 基底 载气 催化剂 去除 保温 加热 合成 上游 生长 | ||
【主权项】：
1.一种制备垂直过渡金属硫化物纳米片阵列的方法，包括以下步骤：/n1)用浓硝酸刻蚀金银合金箔得到多孔金薄膜，用金箔作为多孔金薄膜的支持衬底，得到生长基底；/n2)将生长基底放在气流的下游，在上游的位置依次放入单质硫和过渡金属的氯化物前驱体；所述金属为钽、钼、钒或铌；/n3)通入载气，待气流稳定后，将基底和前驱体分别加热到不同温度，随后保温一定时间，进行过渡金属硫化物的生长；/n4)生长结束后，待温度降至室温后关闭载气，即得到垂直方向的过渡金属硫化物纳米片阵列；/n所述步骤2)中，单质硫和过渡金属的氯化物的质量比为100：1-5；过渡金属的氯化物和多孔金之间的距离范围为8～10cm；/n步骤3)内所述的单质硫、钽的氯化物和多孔金的被加热到的最终温度分别为150-170℃，200-220℃和600-700℃，恒温时间为1-15分钟；/n步骤3)中所述载气为氢气和氩气，氩气和氢气的流量分别为50-200sccm和5-20sccm；/n所述步骤3)中，过渡金属硫化物的生长时间为2～10分钟。/n
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