[发明专利]阵列基板的修复方法和阵列基板有效

专利信息
申请号: 201810117823.0 申请日: 2018-02-06
公开(公告)号: CN108287442B 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 胡浪;蒋耀华;于洋;李凯强;王朝磊;荣南楠;杨燕 申请(专利权)人: 重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 滕一斌
地址: 400714 重庆市北*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明公开了一种阵列基板的修复方法和阵列基板,属于显示设备领域。该阵列基板包括多根栅线、多根数据线和多根公共电极线,栅线和数据线限定出多个像素区域,每个像素区域内均设置有像素电极,每个像素电极分别通过薄膜晶体管与数据线连接,当问题信号线为具有断点的栅线时,将第一薄膜晶体管所连接的数据线与第一薄膜晶体管断开连接,当问题信号线为具有断点的数据线时,将第一薄膜晶体管所连接的栅线与第一薄膜晶体管断开,栅线与第一薄膜晶体管的漏极的重叠区域连接第一部分和第一像素电极,使问题信号线通过第一薄膜晶体管与第一像素电极连接,通过修复线将第一像素电极和第二部分连接,使第一部分与第二部分导通,提高了显示面板的良率。
搜索关键词: 阵列 修复 方法
【主权项】:
1.一种阵列基板的修复方法,所述阵列基板包括多根栅线、多根数据线和多根公共电极线,所述多根栅线和所述多根数据线限定出多个像素区域,每个所述像素区域内均设置有像素电极,每个所述像素电极分别通过薄膜晶体管与所述数据线连接,所述多根栅线和所述多根公共电极线相互平行且交替间隔设置,其特征在于,所述薄膜晶体管的有源层在平行于衬底基板的方向上位于源极和漏极之间的部分在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影内,所述漏极在所述衬底基板上的正投影与所述栅线在所述衬底基板上的正投影部分重叠,所述薄膜晶体管与数据线的连接处在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影外,所述阵列基板包括至少一根问题信号线,所述问题信号线为具有断点的数据线或具有断点的栅线,所述问题信号线包括位于断点两侧的第一部分和第二部分,所述修复方法包括:当所述问题信号线为具有断点的栅线时,将第一薄膜晶体管所连接的数据线与所述第一薄膜晶体管断开连接,当所述问题信号线为具有断点的数据线时,将所述第一薄膜晶体管所连接的栅线与所述第一薄膜晶体管断开连接,所述第一薄膜晶体管为与所述第一部分连接的薄膜晶体管中最靠近所述断点的薄膜晶体管;通过所述栅线与所述第一薄膜晶体管的漏极的重叠区域连接所述第一部分和第一像素电极,所述第一像素电极为与所述第一薄膜晶体管连接的像素电极;截取所述第一像素电极对应的公共电极线上的一段作为修复线,所述修复线的部分区域与所述第一像素电极在衬底基板上的正投影的部分区域重叠;通过所述修复线将所述第一像素电极和所述第二部分连接。
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