[发明专利]LDMOS晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种LDMOS晶体管及其制造方法，其中栅极结构和漏区之间的屏蔽绝缘层中形成有上宽下窄的屏蔽沟槽，通过所述屏蔽沟槽可以增加远离栅极结构一侧的屏蔽绝缘层的平均厚度，降低金属层下方的电场强度，同时使所述金属层下方的电场更加均匀地分布，并有利于抑制栅极结构边缘的热载流子注入效应，从而能够实现更高的击穿电压和更低的导通电阻，最终提高器件性能。

主权项

1.一种LDMOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；掺杂类型不同的阱区和漂移区，所述阱区和漂移区横向分布在半导体衬底内且相隔第一横向距离，所述阱区中形成有一源区，所述漂移区中形成有一漏区；栅极结构，位于所述半导体衬底表面上且横跨所述阱区的边缘和所述漂移区的边缘，所述源区和漏区分居所述栅极结构的两侧；屏蔽绝缘层，覆盖在所述栅极结构的顶部并延伸至所述漂移区的部分表面上，所述屏蔽绝缘层暴露出所述漏区，且所述漏区和栅极结构之间的覆盖在所述漂移区的表面上的屏蔽绝缘层中形成有上宽下窄的屏蔽沟槽，且所述屏蔽沟槽未贯穿所述屏蔽绝缘层；金属层，覆盖在所述源区和屏蔽绝缘层的表面上。