[发明专利]霍尔推力器柔性磁路调控方法有效
申请号: | 201810119249.2 | 申请日: | 2018-02-06 |
公开(公告)号: | CN108320879B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 李鸿;范昊天;丁永杰;魏立秋;于达仁 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01F7/20 | 分类号: | H01F7/20;H02K44/00;F03H1/00 |
代理公司: | 23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人: | 岳昕 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙;23 |
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摘要: | 霍尔推力器柔性磁路调控方法,属于霍尔推力器领域,本发明为解决电推力器无法进行宽参数变化范围调整的问题。本发明所述柔性磁路为m阶级磁路结构,所述调控方法为:当工况发生变化时,通过调节柔性磁路的各阶级线圈的安匝数来调整原磁场位型,调整至与新工况匹配的目标磁场位型;从原磁场位型调整至目标磁场位型的调控过程包括最大磁场强度调控、最大磁场强度位置调控、磁场梯度调控和零磁场位置调控。 | ||
搜索关键词: | 调控 磁路 霍尔推力器 磁场位型 目标磁场 磁场 参数变化 磁场梯度 磁路结构 范围调整 强度位置 位置调控 阶级 安匝数 零磁场 推力器 匹配 | ||
【主权项】:
1.霍尔推力器柔性磁路调控方法,其特征在于,所述柔性磁路由内部线圈和n组外部线圈构建为m阶级磁路结构,20≥m≥4,n≥4,所述n组外部线圈分别绕制在n个外部导磁柱上,每组外部线圈布局相同,自导磁底座至放电通道出口依次为1号附加线圈、m-1个主磁路外部线圈;所述内部线圈绕制在中心位置导磁柱上,自导磁底座至放电通道出口依次为2号附加线圈、m-1个主磁路内部线圈;处于同一轴向位置的n个外部线圈和1个内部线圈构成一个阶级磁路结构,且同一阶级磁路结构中的n个外部线圈串联;/n所述调控方法为:/n当工况发生变化时,通过调节柔性磁路的各阶级线圈的安匝数来调整原磁场位型,调整至与新工况匹配的目标磁场位型;/n从原磁场位型调整至目标磁场位型的调控过程包括最大磁场强度调控、最大磁场强度位置调控、磁场梯度调控和零磁场位置调控。/n
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