[发明专利]深沟槽外延填充方法在审
| 申请号： | 201810120741.1 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN108269734A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 伍洲 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深沟槽外延填充方法，在对深沟槽进行外延填充时，在晶圆边缘的留边区域，同样刻蚀与晶圆中心区域相同的深沟槽，所述的留边区域，是在晶圆边缘留出的，具有一定宽度的不制作任何器件及结构的空白区域。本发明所述的深沟槽外延填充方法，通过在晶圆留边区域设置与中心区域相同的深沟槽，协助消耗晶圆边缘的反应气体，降低边缘区域的填充速率，使晶圆获得较好的面内填充均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟槽 填充 晶圆边缘 留边区域 晶圆 晶圆中心区域 边缘区域 反应气体 空白区域 中心区域 均一性 刻蚀 消耗 制作 | ||
【主权项】：
1.一种深沟槽外延填充方法，其特征在于：在对深沟槽进行外延填充时，在晶圆边缘的留边区域，同样刻蚀与晶圆中心区域器件相同的深沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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