[发明专利]一种三甲基硅烷基胺的精制方法有效

专利信息
申请号: 201810121080.4 申请日: 2018-02-07
公开(公告)号: CN108147378B 公开(公告)日: 2019-08-20
发明(设计)人: 李军;毛索源;张广第;张云峰;陈立峰;张晓东 申请(专利权)人: 浙江博瑞电子科技有限公司
主分类号: C01B21/068 分类号: C01B21/068;B01D67/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 324004 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种三甲基硅烷基胺的精制方法,工业级三甲基硅烷基胺进入装有三甲基硅烷基胺提纯渗透膜的膜反应器中,温度10‑30℃,流速1‑5BV/h,压力0.3‑0.7MPa,得到初步精制的三甲基硅烷基胺,再经精馏得到高纯度的三甲基硅烷基胺。
搜索关键词: 三甲基硅烷基 精制 膜反应器 高纯度 工业级 渗透膜 提纯 精馏
【主权项】:
1.一种三甲基硅烷基胺的精制方法,其特征在于包括以下步骤:工业级三甲基硅烷基胺进入装有三甲基硅烷基胺提纯渗透膜的膜反应器中,温度10‑30℃,流速 1‑5BV/h,得到初步精制的三甲基硅烷基胺,再经精馏得到高纯度的三甲基硅烷基胺;三甲基硅烷基胺提纯渗透膜的制备方法包括:按重量份计,将100份均相阴离子交换膜,用5‑10份甲醇清洗表面,干燥,干膜浸埋在1000‑2000份丙烯基‑1,3‑磺酸内酯,0.0001‑0.001份二甲基硅烷基(环戊二烯)(9‑芴基)二氯化锆,0.01‑0.1份9‑十八烯酸铜,0.1‑1份烯丙基辛基醚混合溶液中,N2保护,用60Coγ射线照射剂量为10‑50kGy,辐照时间10‑60分钟,将接枝膜取出,用1000‑2000份四氢呋喃清洗膜的表面,干燥,得到三甲基硅烷基胺提纯渗透膜。
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