[发明专利]氮化镓晶体制造方法和衬底在审
| 申请号： | 201810123189.1 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN108385161A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人： | 赛富乐斯股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黄剑飞 |
| 地址： | 美国康涅狄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及一种氮化镓晶体制造方法和衬底。所述方法包括：在第一气氛的条件下进行第一外延生长，以在蓝宝石衬底的图案化的表面上形成第一氮化镓晶体层；在与第一气氛不同的第二气氛的条件下进行第二外延生长，以在第一氮化镓晶体层的表面上形成第二氮化镓晶体层。这样就可以免去使用化学机械抛光的方式来获得具有光滑的半极性晶面的氮化镓晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓晶体 外延生长 衬底 化学机械抛光 蓝宝石 半极性 图案化 光滑 制造 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓晶体制造方法，其特征在于，所述方法包括：在第一气氛的条件下进行第一外延生长，以在蓝宝石衬底的图案化的表面上形成第一氮化镓晶体层；在与第一气氛不同的第二气氛的条件下进行第二外延生长，以在第一氮化镓晶体层的表面上形成第二氮化镓晶体层。
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