[发明专利]一种锗镓纳米线及其原位生长方法有效
| 申请号： | 201810124315.5 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN108315770B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 孟祥东;于兆亮;王多;李海波;孙萌;尹默;袁梦 | 申请（专利权）人： | 吉林师范大学 |
| 主分类号： | C25C5/02 | 分类号： | C25C5/02;B22F1/00;H01M4/38;H01M10/0525;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 136000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种锗镓纳米线的原位生长方法，包括以下步骤：在水氧含量低于2ppm的环境中，将GaCl3、GeCl4和离子液体混合，得到电解液；采用包括工作电极、对电极和参比电极的三电极电化学体系将所述电解液在55～65℃、‑1.4～‑1.6V的条件下恒压电沉积镓，在所述工作电极的表面得到镓纳米球；继续在55～65℃、‑2～‑2.3V的条件下恒压电沉积生长锗，在所述工作电极的表面原位生长锗镓纳米线。本发明提供的锗镓纳米线能改善纯锗阳极的电池循环性能与倍率性能；且本发明提供的原位生长方法操作简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线 工作电极 原位生长 恒压电沉积 电解液 三电极电化学体系 表面原位生长 电池循环性能 阳极 倍率性能 参比电极 离子液体 对电极 纳米球 纯锗 水氧 生长 | ||
【主权项】：
1.一种锗镓纳米线的原位生长方法，包括以下步骤：在水氧含量低于2ppm的环境中，将GaCl3、GeCl4和离子液体混合，得到电解液；所述离子液体选自1‑乙基‑3‑甲基咪唑双(三氟甲基磺酰)亚胺盐、1‑丁基‑3‑甲基咪唑双(三氟甲基磺酰)亚胺盐或N‑丁基‑N‑甲基哌啶双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐；采用包括工作电极、对电极和参比电极的三电极电化学体系将所述电解液在55～65℃、‑1.4～‑1.6V的条件下恒压电沉积镓，在所述工作电极的表面得到镓纳米球；继续在55～65℃、‑2～‑2.3V的条件下恒压电沉积生长锗，在所述工作电极的表面原位生长锗镓纳米线。
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