[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法在审
| 申请号： | 201810126026.9 | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108428768A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;董彬忠;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法，属于光电子技术领域。该提供一蓝宝石平片衬底；在蓝宝石平片衬底上依次生长AlN缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，其中，发光层包括交替层叠的多层InGaN阱层和多层GaN垒层，在生长多层InGaN阱层时，铟源的流量为300sccm～500sccm，通过在蓝宝石平片衬底上依次生长AlN缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，在生长发光层中的多层InGaN阱层时，控制铟源的流量为300sccm～500sccm，可以提高发光层的晶体质量，能够提高LED芯片的开启电压，有效减少LED芯片漏电的情况，使得同一晶元分割出的多个LED芯片中有更多的LED芯片可以正常发光，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光层 多层 蓝宝石 衬底 平片 生长 发光二极管 外延片 铟源 制备 光电子技术领域 漏电 交替层叠 开启电压 有效减少 晶元 垒层 良率 发光 分割 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一蓝宝石平片衬底；在所述蓝宝石平片衬底上依次生长AlN缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，其中，发光层包括交替层叠的多层InGaN阱层和多层GaN垒层，在生长所述多层InGaN阱层时，铟源的流量为300sccm～500sccm。
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