[发明专利]晶振片镀膜工艺在审
| 申请号： | 201810127870.3 | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN110129734A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 周朱华;王祖勇 | 申请（专利权）人： | 嘉兴晶控电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/18 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 吴宏宇 |
| 地址： | 314000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了晶振片镀膜工艺，其特征在于，在真空箱内对晶振片进行镀膜，真空箱内部上部设置晶振片，下部设置铬蒸发源、金蒸发源，镀膜过程如下：步骤1）开启铬蒸发源，对晶振片镀铬，在晶振片上形成铬层，步骤2）持续开启铬蒸发源，开启金蒸发源，在铬层上形成铬金共金属层。步骤3）关闭铬蒸发源，保持金蒸发源开启，在铬金共金属层上形成金层，步骤4）关闭金蒸发源，完成镀膜。在铬层镀膜完成后，保持铬蒸发源和金蒸发源同时开启，在铬层上形成铬金共金属层，然后镀上金层，因铬金共金属层的存在，提高铬和金的结合力，整体性能、使用寿命延长，监测性能更稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 蒸发源 晶振片 金属层 铬层 铬金 镀膜 镀膜工艺 使用寿命延长 镀膜过程 监测性能 结合力 镀铬 金层 上金 | ||
【主权项】：
1.晶振片镀膜工艺，其特征在于，在真空箱内对晶振片进行镀膜，真空箱内部上部设置晶振片，下部设置铬蒸发源、金蒸发源，镀膜过程如下：步骤1)开启铬蒸发源，对晶振片镀铬，在晶振片上形成铬层，步骤2)持续开启铬蒸发源，开启金蒸发源，在铬层上形成铬金共金属层。步骤3)关闭铬蒸发源，保持金蒸发源开启，在铬金共金属层上形成金层，步骤4)关闭金蒸发源，完成镀膜。
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