[发明专利]一种大比表面积N掺杂碳布电极及其制备方法、应用在审
| 申请号： | 201810128637.7 | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108365229A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 龙剑平;陈建中;舒朝著;候志前;胡安俊 | 申请（专利权）人： | 成都理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/86 | 分类号： | H01M4/86;H01M4/88;H01M4/96;H01M12/08 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 陈蒋玲 |
| 地址： | 610000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大比表面积N掺杂碳布电极的制备方法，包括以下步骤：(1)碳布预处理：将碳布清洗、真空烘干处理；(2)电极制备：用磁控溅射反溅技术将氩气轰击碳布表面，在碳布表面形成多孔结构，反溅时加入适当的氮气，在氮气中处理3～5min。1、本发明材料结构，本材料是多孔结构，此种结构能提升材料的比表面积，提供大量的活性位点；本材料结构简单，没有传统电极的催化剂和粘接剂，因此具有更好的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 碳布 氮气 多孔结构 电极 制备 预处理 表面形成 材料结构 传统电极 磁控溅射 电极制备 发明材料 活性位点 真空烘干 氩气轰击 粘接剂 催化剂 清洗 应用 | ||
【主权项】：
1.一种大比表面积N掺杂碳布电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)碳布预处理：将碳布清洗、真空烘干处理；(2)电极制备：用磁控溅射反溅技术将氩气轰击碳布表面，在碳布表面形成多孔结构，反溅时加入适当的氮气，在氮气中处理3～5min。
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