[发明专利]垂直场效应晶体管与鞍形鳍式场效应晶体管的集成

摘要

本发明涉及垂直场效应晶体管与鞍形鳍式场效应晶体管的集成，揭示用以在集成电路中集成垂直场效应晶体管与鞍形鳍式场效应晶体管的结构，以及用以在集成电路中集成垂直场效应晶体管与鞍形鳍式场效应晶体管的方法。在衬底中形成沟槽隔离，以定义第一装置区及第二装置区。形成自该第一装置区突出的第一半导体鳍片并形成自该第二装置区突出的第二半导体鳍片。通过使用该第一半导体鳍片形成垂直场效应晶体管，且通过使用该第二半导体鳍片形成鞍形鳍式场效应晶体管。使邻近该第二半导体鳍片的该第二装置区中的该沟槽隔离的顶部表面相对邻近该第一半导体鳍片的该第一装置区中的该沟槽隔离的该顶部表面凹入。

主权项

1.一种通过使用衬底制造的结构，该结构包括：位于该衬底中的沟槽隔离，以定义第一装置区及第二装置区；鞍形鳍式场效应晶体管，包括自该第一装置区突出的第一半导体鳍片及第一栅极电极，该第一半导体鳍片具有顶部表面以及自该顶部表面延伸至该第一半导体鳍片中的沟道凹槽，且该第一栅极电极位于该沟道凹槽内及该沟槽隔离上；以及垂直场效应晶体管，包括自该第二装置区突出的第二半导体鳍片以及与该第二半导体鳍片关联的第二栅极电极，其中，该沟槽隔离具有顶部表面，且与该第一装置区中的该第一半导体鳍片相邻的该沟槽隔离的该顶部表面相对与该第二装置区中的该第二半导体鳍片相邻的该沟槽隔离的该顶部表面凹入。