[发明专利]太阳能电池吸收层的制备方法和太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种太阳能电池吸收层的制备方法和太阳能电池的制备方法，其中该吸收层的制备方法包括在沉积有背电极的基底上依次溅射铜镓合金层和铟层；将沉积有单质硒层的铜铟镓预制膜放入反应腔中，并在反应腔中通入第一载气流量值的硒气氛，或通入第二载气流量值的硫蒸气；在第三温度阈和第三预设时长内对基底进行退火处理。本发明提供的太阳能电池吸收层的制备方法和太阳能电池的制备方法，通过在CIG预制膜上沉积一层单质硒层作为硒源供给，使硒元素可以穿过不饱和二元相向预制膜底部扩散，避免了镓元素向底部富集的问题。此外，通过通入低浓度的硫蒸气，从而提高了薄膜太阳能电池的带隙，增强了吸收层的性能。

主权项

1.一种太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在沉积有背电极的基底上依次溅射铜镓合金层和铟层，以形成铜铟镓预制膜；在所述铜铟镓预制膜上沉积单质硒层；将沉积有所述单质硒层的所述铜铟镓预制膜放入具有预设的第一温度阈的反应腔中，所述单质硒层在所述预设的第一温度阈下蒸发变为第一硒蒸气，在所述第一硒蒸气的气氛中持续第四预设时长后，在所述反应腔中通入预设的第一载气流量值的硒气氛，使所述铜铟镓预制膜在所述第一载气流量值的硒气氛中反应第一预设时长；或者，将沉积有所述单质硒层的所述铜铟镓预制膜放入具有预设的第二温度阈的反应腔中，所述单质硒层在所述预设的第二温度阈下蒸发变为第二硒蒸气，在所述第二硒蒸气的气氛中持续第五预设时长后，在所述反应腔中通入预设的第二载气流量值的硫蒸气，使所述铜铟镓预制膜在所述第二载气流量值的硫蒸气中反应第二预设时长；在预设的第三温度阈和第三预设时长内对所述基底进行退火处理。