[发明专利]硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池在审
| 申请号： | 201810129811.X | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN110137289A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 宗军;王伟;田宏波;赵晓霞;杨瑞鹏;周永谋;王恩宇;李洋;王雪松 | 申请（专利权）人： | 国家电投集团科学技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/05 | 分类号： | H01L31/05;H01L31/072 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区未来科技城国*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池，该金属栅线电极包括：一条主栅线；第一组副栅线，所述第一组副栅线包括多根平行布置的副栅线，所述第一组副栅线垂直且相交于所述主栅线设置；第二组副栅线，所述第二组副栅线包括多根平行布置的副栅线，第二组副栅线平行于所述主栅线且与所述第一组副栅线相交设置。该金属栅线电极对电池光作用面遮挡小、电阻低，实现了电流收集和电极遮光之间的良好平衡，从而提高了太阳电池的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 副栅线 硅异质结太阳电池 金属栅线电极 主栅线 平行布置 电流收集 相交设置 光作用 电极 电阻 遮光 遮挡 平行 相交 垂直 电池 平衡 | ||
【主权项】：
1.一种硅异质结太阳电池的金属栅线电极，其特征在于，包括：一条主栅线；第一组副栅线，所述第一组副栅线包括多根平行布置的副栅线，所述第一组副栅线垂直且相交于所述主栅线设置；第二组副栅线，所述第二组副栅线包括多根平行布置的副栅线，第二组副栅线平行于所述主栅线且与所述第一组副栅线相交设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
