[发明专利]带有工艺和温度自动调整的LDO有效
申请号: | 201810130031.7 | 申请日: | 2018-02-08 |
公开(公告)号: | CN108319319B | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 周媛媛;李景虎;陈福洁;涂航辉 | 申请(专利权)人: | 厦门亿芯源半导体科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 岳昕 |
地址: | 361000 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 带有工艺和温度自动调整的LDO,属于集成电路领域,本发明为解决常见的带有工艺和温度调整的LDO调整精度低,不能很好的随工艺和温度的变化而变化的问题。本发明包括LDO主单元、温度调整电路和工艺调整电路;LDO主单元的调整端子接入温度调整电路的温度调整信号和工艺调整电路的工艺调整信号;在环境温度超过温度阈值时,温度调整电路控制LDO主单元的输出电压随温度的增加而增加;工艺调整电路控制运算放大器A1的反相输入端产生零温度系数电压,以调整芯片整体工艺的偏差,芯片整体工艺偏差为偏大时,LDO主单元的输出电压随之增大,反之减小。 | ||
搜索关键词: | 工艺调整 主单元 温度调整电路 输出电压 温度调整 整体工艺 电路 芯片 零温度系数电压 集成电路领域 反相输入端 运算放大器 电路控制 端子接入 温度超过 阈值时 减小 | ||
【主权项】:
1.带有工艺和温度自动调整的LDO,包括LDO主单元,LDO主单元包括运算放大器A1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、PMOS晶体管MP5、电流源I2和NPN三极管Q1;运算放大器A1的反相输入端通过电阻R2、NPN三极管Q1接地;还通过电流源I2接电源VDD;运算放大器A1的同相输入端通过电阻R4接地,还通过电阻R3同时连接输出端子Vout;运算放大器A1的输出端通过PMOS晶体管MP5分别连接电源VDD和输出端子Vout;其特征在于,还包括温度调整电路和工艺调整电路;运算放大器A1的反相输入端、电流源I2的负端和电阻R2的公共端子作为调整端子,所述调整端子接入温度调整电路的温度调整信号和工艺调整电路的工艺调整信号;在环境温度超过温度阈值时,温度调整电路控制LDO主单元的输出电压随温度的增加而增加;工艺调整电路控制运算放大器A1的反相输入端产生零温度系数电压,以调整芯片整体工艺的偏差,芯片整体工艺偏差为偏大时,LDO主单元的输出电压随之增大,反之减小;温度调整电路包括负温度系数电流源ICTAT2、正温度系数电流源IPTAT、NMOS晶体管MN1、NMOS晶体管MN2、NMOS晶体管MN3、NMOS晶体管MN4、PMOS晶体管MP6和PMOS晶体管MP7;NMOS晶体管MN1的栅极同时连接其漏端、NMOS晶体管MN2的栅极和负温度系数电流源ICTAT2的负端;NMOS晶体管MN2的漏端同时连接NMOS晶体管MN3的漏端及其栅极、NMOS晶体管MN4的栅极、正温度系数电流源IPTAT的负端;NMOS晶体管MN4的漏端同时连接PMOS晶体管MP6的漏端及其栅极、PMOS晶体管MP7的栅极;NMOS晶体管MN1、MN2、MN3、MN4的源端同时连接GND;负温度系数电流源ICTAT2的正端、正温度系数电流源IPTAT的正端、PMOS晶体管MP6的源端和PMOS晶体管MP7的源端同时连接电源VDD;PMOS晶体管MP7的漏端连接LDO主单元的调整端子;工艺调整电路包括运算放大器A0、负温度系数电流源ICTAT1、电流源I0、电流源I1、电流源I3、电阻R1、芯片外测试电阻REXT、芯片内电阻RIN、电容C1、PMOS晶体管MP2、PMOS晶体管MP3和PMOS晶体管MP4;PMOS晶体管MP1的栅极同时连接运算放大器A0的输出端、电阻R1的一端和PMOS晶体管MP2的栅极;电阻R1的另一端连接电容C1的一端;PMOS晶体管MP1的漏端同时连接电容C1的另一端、电流源I1的负端、芯片内电阻RIN的一端和运算放大器A0的正相输入端;PMOS晶体管MP2的漏端同时连接PMOS晶体管MP3的栅极和漏端、PMOS晶体管MP4的栅极和电流源I3的正端;PMOS晶体管MP4的漏端同时连接LDO主单元的调整端子;运算放大器A0的反相输入端同时连接芯片外测试电阻REXT的一端、负温度系数电流源ICTAT1的负端和电流源I0的负端;负温度系数电流源ICTAT1的正端、电流源I0的正端、电流源I1的正端、PMOS晶体管MP1、MP2、MP3、MP4的源端同时连接电源VDD;芯片外测试电阻REXT的另一端、芯片内电阻RIN的另一端和电流源I3的负端同时连接GND。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门亿芯源半导体科技有限公司,未经厦门亿芯源半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810130031.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。