[发明专利]一种Pm-147碳化硅缓变肖特基同位素电池及其制造方法

摘要

一种Pm‑147碳化硅缓变肖特基同位素电池，包括衬底，衬底下方设置N型欧姆接触电极，衬底上部设置第一N型SiC外延层，第一N型SiC外延层上部设置第二N型SiC外延层，在第二N型SiC外延层的顶部设有若干肖特基电极，在第二N型SiC外延层的顶部除去肖特基电极的区域设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层的上方设有Pm‑147放射性同位素源。本发明的Pm‑147碳化硅肖特基同位素电池采用两层掺杂浓度不同的N型层替代常规的N型，通过在辐照生载流子的扩散区中引入电场，将载流子的扩散运动转变成扩散运动和漂移运动的结合，有利于减少辐照生载流子的复合损耗，从而提升电池的输出功率。

主权项

1.一种Pm‑147碳化硅缓变肖特基同位素电池，其特征在于：包括衬底(2)，衬底(2)下方设置N型欧姆接触电极(1)，衬底上部设置第一N型SiC外延层(3)，第一N型SiC外延层(3)上部设置第二N型SiC外延层(4)，在第二N型SiC外延层(4)的顶部设有若干肖特基电极(5)，在第二N型SiC外延层(4)的顶部除去肖特基电极(5)的区域设有SiO2钝化层(6)，在SiO2钝化层(6)的上方设有Pm‑147放射性同位素源(7)。