[发明专利]镓镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 201810130637.0 | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108396383B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 齐红基;靳亚雪;潘明艳;邵建达;顾国瑞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B11/00;C30B15/00;C09K11/80 |
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| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种镓镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法，镓和镱离子共掺YAG晶体的化学式为(Yb0.1Y0.9)3Al5‑xGaxO12，式中x＝1，2，3，4，5，x为Ga离子的掺杂量，Ga离子进入晶体取代Al离子，Yb离子的掺杂量为10％，Yb离子进入晶体取代Y离子格位。本发明制备的(Yb0.1Y0.9)3Al5‑xGaxO12超快闪烁晶体减小了带隙，湮没了反位缺陷，具有光产额高、抗辐照损伤强等优点，可应用于超快脉冲辐射探测、高能物理等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 闪烁晶体 镱离子 共掺 制备 掺杂量 高能物理 超快脉冲 辐射探测 辐照损伤 带隙 格位 减小 式中 应用 | ||
【主权项】：
1.一种镓镱离子共掺YAG超快闪烁晶体的制备方法，该闪烁晶体的分子式为(Yb0.1Y0.9)3Al5‑xGaxO12，式中x＝1，2，3，4，5，x为Ga离子的掺杂量，Ga离子进入晶体取代Al离子，Yb离子的掺杂量为10％，Yb离子进入晶体取代Y离子格位，其特征在于该方法步骤如下：①配制块料：采用Yb2O3、Y2O3、Al2O3和Ga2O3作为初始原料并按摩尔比0.15：1.35：(5‑x)/2：x/2进行配料，其中x＝1，2，3，4，5；原料充分混合均匀后用等静压机压制成块，然后装入氧化铝坩埚内，放进马弗炉中烧结，用10个小时升温至1300℃，恒温10个小时后经10小时降温至室温，将块料取出放入坩埚内；②采用熔体法生长(Yb0.1Y0.9)3Al5‑xGaxO12闪烁晶体：用氧化锆和氧化铝做保温材料，用宝石片封住观察口，采用惰性气体保护，生长温度为1970℃，生长制备化学式为(Yb0.1Y0.9)3Al5‑xGaxO12的晶体。
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