[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201810131309.2 | 申请日: | 2015-02-26 |
公开(公告)号: | CN108198748B | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 吉原直彦;小林健司;奥谷学 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法,能够一边对基板进行加热一边使基板的上表面相对于水平面倾斜,并且,从基板的上方顺利且完全地排除有机溶剂等的处理液的液膜。基板处理装置具有一边对基板进行支撑一边对基板从下方进行加热的基板加热单元和使基板加热单元的姿势在水平姿势和倾斜姿势之间变更的姿势变更单元。在紧接着对基板加热的基板高温化工序执行的有机溶剂排除工序中,通过使基板加热单元的姿势变更为倾斜姿势,来使基板的上表面相对于水平面倾斜。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,具有:基板保持单元,将基板保持为水平;处理液供给单元,通过向由所述基板保持单元保持的基板的上表面供给处理液,形成覆盖基板的整个上表面的处理液的液膜;基板加热单元,具有以分别独立的温度对由所述基板保持单元保持的基板的整个上表面进行加热的多个加热器,在基板的整个上表面被处理液的液膜覆盖的状态下,通过以处理液的沸点以上的温度对由所述基板保持单元保持的基板进行加热来使处理液蒸发,以在处理液的液膜和基板的上表面之间形成气相;控制装置,对所述基板加热单元进行控制,所述控制装置执行均匀加热工序和温度差产生工序,从而处理液的液膜不会分裂,保持液块的状态从基板排除,在所述均匀加热工序中,在基板的整个上表面由处理液的液膜覆盖的状态下,通过使所述多个加热器以处理液的沸点以上的温度对由所述基板保持单元保持的基板均匀加热来使处理液蒸发,以在由所述基板保持单元保持的基板的上表面和处理液的液膜之间形成气相,所述温度差产生工序在所述均匀加热工序后执行,在所述温度差产生工序中,在处理液的液膜和基板的上表面之间形成有气相的状态下,通过控制所述多个加热器,在由所述基板保持单元保持的基板的上表面形成温度在处理液的沸点以上的低温区域和温度比所述低温区域的温度高的高温区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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