[发明专利]一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法

摘要

本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件，器件元胞单元包括半导体基板，半导体基板包括N型衬底及N型漂移区；在N型漂移区内设有P型体区及位于P型体区间的沟槽，其特征在于，P型体区上方设有N型源区和P型阱区，沟槽内设有栅氧化层、绝缘介质层及栅极多晶硅，N型源区与绝缘介质层左右邻接，在绝缘介质层、N型源区和P型阱区上方设有第一电极,N型衬底下方设有第二电极；本发明通过刻蚀浅接触孔，在器件相邻沟槽之间的硅表面区形成金属分别和N型源区、P型阱区的欧姆接触，省去了相邻两个沟槽之间光刻对位刻蚀的接触孔，降低了器件的最小元胞尺寸，从而降低了单位面积的导通电阻，提高了器件的性价比。

主权项

1.一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件，包括位于器件中心区的有源区和位于有源区外围的终端保护区，所述有源区包括若干个相互并联的器件元胞单元，所述器件元胞单元包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底（02）及位于第一导电类型衬底（02）上的第一导电类型漂移区（01），所述第一导电类型衬底（02）下层设有第二电极（07），所述第二电极（07）与第一导电类型衬底（02）欧姆接触；在所述第一导电类型漂移区（01）内设有第二导电类型体区（05）及位于第二导电类型体区（05）间的沟槽（03），其特征在于，所述第二导电类型体区（05）上方设有第一导电类型源区（06）和第二导电类型阱区（04），所述沟槽（03）内设有位于沟槽（03）内壁的栅氧化层（08）、位于沟槽（03）上方的绝缘介质层（10）及被栅氧化层（08）和绝缘介质层（10）包围的栅极多晶硅（09），所述第一导电类型源区（06）与沟槽（03）内的绝缘介质层（10）左右邻接且底部低于栅极多晶硅（09）顶部，在所述绝缘介质层（10）、第一导电类型源区（06）和第二导电类型阱区（04）上方设有第一电极（11）。