[发明专利]低色偏像素单元及其设计方法有效
| 申请号： | 201810132216.1 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108415200B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 吴永良 | 申请（专利权）人： | 咸阳彩虹光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 712000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低色偏像素单元及其设计方法。该低色偏像素单元包括至少一个具有第一区域和第二区域的子像素，所述第一区域包括第一晶体管，所述第二区域包括第二晶体管以及第三晶体管，且所述第一晶体管具有第一有源层，所述第二晶体管具有第二有源层，所述第三晶体管具有第三有源层，其中，所述第一有源层、所述第二有源层由至少两种半导体材料组成。本发明提供的低色偏像素单元，将多畴子像素的不同区域的TFT晶体管设计为迁移率不同的半导体材料，实现TFT晶体管充电电流比例要求，完成子像素不同区域像素电极的电压差，解决了液晶显示装置的色偏问题。 | ||
| 搜索关键词： | 低色偏 像素 单元 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低色偏像素单元，其特征在于，包括：至少一个具有第一区域和第二区域的子像素，所述第一区域包括第一晶体管，所述第二区域包括第二晶体管以及第三晶体管，且所述第一晶体管具有第一有源层，所述第二晶体管具有第二有源层，所述第三晶体管具有第三有源层，其中，所述第一有源层、所述第二有源层由至少两种半导体材料组成。
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