[发明专利]一种自支撑金刚石衬底异质结构及制备方法在审
| 申请号： | 201810133610.7 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108447897A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张东;赵琰;李昱材;王健;宋世巍;王刚;丁艳波;王晗;刘莉莹 | 申请（专利权）人： | 沈阳工程学院 |
| 主分类号： | H01L29/267 | 分类号： | H01L29/267;H01L21/02 |
| 代理公司： | 沈阳铭扬联创知识产权代理事务所(普通合伙) 21241 | 代理人： | 屈芳 |
| 地址： | 110136 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于一种可逆半导体到金属(SMT)一级转变涂层的制造技术领域，特别涉及一种自支撑金刚石衬底异质结构及制备方法，在自支撑金刚石衬底依次制备AZO透明导电薄膜、p‑GaN材料层、VO2材料层、AZO透明导电薄膜和TiN抗腐蚀保护层。本发明一种具有产业化潜力的VO2/p‑GaN异质结构结合金刚石材料及其制备技术。制备工艺简单，可实现规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 金刚石 异质结构 自支撑 衬底 透明导电薄膜 抗腐蚀保护层 金刚石材料 规模生产 制备工艺 材料层 产业化 可逆 半导体 金属 制造 | ||
【主权项】：
1.一种自支撑金刚石衬底异质结构，其特征在于，从上到下依次包括TiN抗腐蚀保护层、AZO透明导电薄膜、VO2材料层、p‑GaN材料层、AZO透明导电薄膜层、自支撑金刚石衬底。
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