[发明专利]一种横向氮化镓功率整流器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201810133885.0 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN108365018B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 康玄武;刘新宇;黄森;王鑫华;魏珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/40;H01L29/20;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人： | 程虹 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种横向氮化镓功率整流器件，包括衬底，缓冲层，势垒层，以及钝化介质层，其中：势垒层的两端分别具有第一刻蚀凹槽和第二刻蚀凹槽，钝化介质层在靠近第一刻蚀凹槽的一端具有与第一刻蚀凹槽相邻的第三凹槽，第三凹槽的深度达到势垒层的表面，在第一刻蚀凹槽和第三凹槽内形成有阳极结构，在第二刻蚀凹槽内形成有阴极结构。本发明还提供一种横向氮化镓功率整流器件的制作方法。本发明能够避免阳极的刻蚀或者注入损伤，提高二极管的可靠性和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 氮化 功率 整流 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向氮化镓功率整流器件，包括衬底，位于所述衬底表面的缓冲层，位于所述缓冲层表面的势垒层，以及位于所述势垒层的表面的钝化介质层，其特征在于：所述势垒层的两端分别具有第一刻蚀凹槽和第二刻蚀凹槽，所述钝化介质层在靠近所述第一刻蚀凹槽的一端具有与所述第一刻蚀凹槽相邻的第三凹槽，所述第三凹槽的深度达到所述势垒层的表面，在所述第一刻蚀凹槽和所述第三凹槽内形成有阳极结构，在所述第二刻蚀凹槽内形成有阴极结构。
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